二次元電子ガスを用いた半導体クライストロン素子の作製とミリ波帯における特性評価(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
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概要
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テラヘルツ(THz)帯増幅の可能性を持つ素子として、2次元電子ガスの速度変調を原理とする三端子増幅素子の提案と理論解析、作製、ミリ波帯における初期的な特性測定を行った。素子の動作原理はマイクロ波真空管のクライストロンと同じである。理論解析により入出力間の伝達コンダクタンスg_mがTHz帯にピークを持つことが示された。GaInAs/InAlAs HEMTの層構造を用いて素子を作製し、初期段階の測定としてミリ波帯におけるg_mの周波数特性を測定した。その結果、g_mはミリ波の範囲において、周波数とともに増加しており、理論解析の結果と一致するとともに、THz帯でより高いg_mが期待できることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-01
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
岩橋 洋平
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
竹内 淳
東京工業大学大学院
-
竹内 淳
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
-
Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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