Si基板上CoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルトンネルFETの静特性と動作時間解析
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概要
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集積回路の超高速・高密度化に伴い極微細構造で動作可能なトランジスタが重要な課題となっている。我々はSi基板上に結晶成長可能なCoSi_2/Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造を用いた極短チャネルで動作可能な電界効果型トンネルトランジスタ(TFET)を提案した。このTFETではチャネル長5 cmにおいてもMOS-FETと同様な飽和特性が期待でき, また, 電界制御型量子効果多機能デバイスへの拡張が可能である。本報告では, このTFETの静特性と動作時間の素子構造依存性の解析を行なった。
- 1997-03-06
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
山崎 克之
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
筒井 将史
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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