Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
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概要
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Si基板上に結晶成長が可能な金属/絶縁体(CoSi_2、CdF_2、CaF_2)ヘテロ構造の組み合わせを用いて、極微細化が可能な電界制御型量子効果デバイスの提案と理論解析を行った。量子効果デバイスの基本構造となるトンネル電界効果型トランジスタの解析を行ない、チャネル長5nmにおいても飽和型電流電圧特性となること、および遮断周波数1THz程度が見積られた。このトランジスタ構造に、電子波の結合導波路と電子の伝播を制御するゲート構造を加えたデバイスの提案と解析を行ない、ゲート長40nmにおいて複数の微分負性抵抗特性を有する特性が得られた。これらのデバイスの実現のために、Si/CdF_2/CaF_2ヘテロ構造をSi基板上に結晶成長行ない、CdF_2上における0.9nm以上のSiは2段階成長を行なう事により平坦な単結晶成長が可能な事を示した。
- 1997-04-24
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
青木 雄一
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
山崎 克之
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
筒井 将史
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
西山 淳
東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
齋藤 渉
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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