Epitaxial Growth and Electrical Characteristics of CaF_2/Si/CaF_2 Resonant Tunneling Diode Structures Grown on Si(111)1°-off Substrate
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 2000-10-01
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
WATANABE Masahiro
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
IKETANI Yoshifumi
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
ASADA Masahiro
Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Asada Masahiro
Interdisciplinary Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
Iketani Yoshifumi
Interdisciplinary Graduate School Of Science And Engineering Tokyo Institute Of Technology
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