Si-CaF_2及びCdF_2-CaF_2ヘテロ接合を用いたシリコン基板上共鳴トンネルダイオード
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概要
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シリコン基板上にエピタキシャル成長可能な弗化物系絶縁体弗化カルシウム(CaF_2)及び弗化カドミウム(CdF_2)を用いたヘテロ接合は、その接合界面に2.9eVの伝導帯バンド不連続を有するため、これらの材料で構成した薄膜超格子を用いると、室温においても極めて顕著な微分負性抵抗を示す共鳴トンネルデバイスの実現が期待される。今回我々は、リーク電流抑制のため、CaF_2薄膜のピンホール密度を低減させるための結晶成長技術の改善を行い、Si-CaF_2及びCdF_2CaF_2二重障壁共鳴トンネルダイオード(DBRTD)を用いた微分負性抵抗特性の評価を行ったところ、特にCaF_2-CdF_2RTDにおいて、室温で10^5を超えるPeak to valley ratio(PVR)を得たので報告する。
- 2000-02-10
著者
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
渡辺 正裕
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
筒井 将史
東京工業大学 工学部 電気電子工学科
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
-
Watanabe M
Nec Corp. Ibaraki Jpn
-
浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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