エピタキシャルCaF_2を用いたMIS電子トンネルエミッタのエミッション電流安定化およびta-Cによる電子放出閾価電圧の低下
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概要
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ホットエレクトロントランジスタと類似した構造で、低電圧動作、高効率の期待できるMIS電子トンネルエミッタとして、エピタキシャルCaF_2を絶縁体とし表面を低仕事関数のテトラヘドラルスペースアモルファスカーボン(ta-C)で終端させたn-Si/CaF_2/PtSi/Pt/ta-c構造のMIS電子トンネルエミッタの研究を行った。まず、n-Si/CaF_2/PtSi/Pt構造のMIS電子トンネルエミッタを作製した。CaF_2と金属層との密着性を向上させることによりフィラメントの形成を抑制出来、素子の大気放出の前後で安定したエミッション電流を観測できた。次にこの素子上にta-Cを成膜したところ, 成膜直後の測定のみ電子放出が低印可電圧で観測出来たが、その後は成膜前の特性に戻った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-12-11
著者
-
齋藤 渉
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
斎藤 渉
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
丸山 武男
量子効果エレクトロニクス研究センター
-
宮本 恭幸
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
大島 一好
東京工業大学工学部電気・電子工学科
-
渡辺 正裕
量子効果エレクトロニクス研究センター
-
Watanabe M
Hiroshima Univ. Higashi‐hiroshima Jpn
-
Watanabe Mahiko
Department Of Applied Physics And Chemistry Faculty Of Engineering Hiroshima University
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