C-10-12 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-08-30
著者
-
齋藤 尚史
東京工業大学
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
藤松 基彦
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
Saito Hisashi
Department of Physical Electronics, Tokyo Institute of Technology, O-okayama, Meguro-ku, Tokyo 152-8552, Japan
-
藤松 基彦
東京工業大学大学院理工学研究科
-
藤松 基彦
東京工業大学
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