C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-28
著者
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
小山 英寿
三菱電機株式会社
-
小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社
-
林 一夫
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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