セラミック基板を用いた1.9GHz用RFフロントエンドモジュール
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概要
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移動体通信用端末の小形化,低コスト化に伴い, その構成部品の, より一層の小形化(集積化), 低コスト化が要求されている. 高周波半導体回路では, 低コスト化のために半導体部品の外部に整合回路やバイアス回路を設けることが多いが, 結果として実装面積が大きくなる問題がある. 今回, HPA, LNAおよびSWなどを含む半導体回路ベアチップと整合回路・バイアス回路などをセラミック基板上に集積し, 小形化を図ったRFフロントエンドモジュールを試作したので, その結果について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石崎 光範
三菱電機株式会社 生産技術センター
-
吉井 泰
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小方 規子
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小方 規子
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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