高木 直 | 三菱電機株式会社

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概要

• 同名の論文著者
• 三菱電機株式会社の論文著者

関連著者

• 高木 直

  三菱電機株式会社

• 末松 憲治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  東北大学電気通信研究所

• 高木 直

  三菱電機

• 檜枝 護重

  三菱電機株式会社

• 森 一富

  三菱電機株式会社

• 池田 幸夫

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 森 一富

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 谷口 英司

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 伊山 義忠

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 檜枝 護重

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 山内 和久

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮口 賢一

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 石田 修己

  三菱電機株式会社

• 亀田 卓

  東北大学電気通信研究所

• 坪内 和夫

  東北大学電気通信研究所

• 中島 健介

  三菱電機株式会社

• 高木 直

  東北大学 電気通信研究所

• 坪内 和夫

  東北大学 電気通信研究所

• 中原 和彦

  三菱電機株式会社

• 久留須 整

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 久留須 整

  三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部

• 宮口 賢一

  三菱電機

• 石田 修己

  韓国情報通信大学工学部

• 伊藤 康之

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 石田 修己

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中島 健介

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 加藤 隆幸

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 新居 眞敏

  三菱電機株式会社

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 小丸 真喜雄

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 前田 憲一

  三菱電機株式会社

• 堀口 健一

  三菱電機株式会社

• 塚原 良洋

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 下沢 充弘

  三菱電機株式会社

• 柏 卓夫

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 三井 康郎

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 高木 直

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 紫村 輝之

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 西野 有

  三菱電機株式会社

• 小熊 博

  東北大学電気通信研究所

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 笠原 通明

  三菱電機株式会社

• 半谷 政毅

  三菱電機株式会社

• 伊東 健治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 林 亮司

  三菱電機株式会社

• 伊東 健治

  三菱電機株式会社

• 生島 貴之

  三菱電機株式会社

• 吉田 幸久

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 門脇 直人

  独立行政法人情報通信研究機構

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 小松 和寛

  東北大学電気通信研究所

• 伊東 健治

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 富田 俊輔

  東北大学電気通信研究所

• 飯塚 昇

  ソフトバンクテレコム

• 池松 寛

  三菱電機株式会社

• 垂井 幸宣

  三菱電機株式会社

• 池松 寛

  三菱電機株式会社通信機製作所

• 星 裕之

  三菱電機株式会社

• 星 裕之

  神奈川大学工学部

• 門脇 直人

  郵政省通信総合研究所

• 川上 憲司

  三菱電機株式会社

• 金谷 康

  三菱電機株式会社

• 辻 聖一

  三菱電機株式会社

• 山本 和也

  三菱電機株式会社

• 石田 多華生

  三菱電機株式会社

• 星 裕之

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 荒木 恒彦

  郵政省通信総合研究所

• 桂 隆俊

  三菱電機株式会社

• タ トァン

  東北大学電気通信研究所

• 坂本 三平

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 宮脇 勝己

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 久田 雅章

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 石原 理

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 紫村 輝之

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 佐倉 武志

  三菱電機株式会社

• 吉田 賢史

  東北大学電気通信研究所

• 東坂 範雄

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部

• 岡村 敦

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山口 真美子

  三菱電機株式会社

• 有賀 博

  三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所

• 安藤 直人

  三菱電機株式会社

• 谷野 憲之

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 小丸 真喜雄

  三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 小島 善樹

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 加藤 隆幸

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 采女 豊

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 有賀 博

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大村 隆司

  三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部

• 飯田 明夫

  三菱電機株式会社

• 畑本 幹夫

  三菱電機株式会社

• 舟田 雅彦

  三菱電機株式会社

• 石川 高英

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 井上 晃

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大橋 英征

  三菱電機株式会社

• 丸橋 建一

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 礒田 陽次

  三菱電機株式会社

• 小芦 佳宏

  ミヨシ電子株式会社

• 片山 秀昭

  三菱電機株式会社高周波光素子統括部

• 浅田 智之

  三菱電機株式会社高周波光素子統括部

• 釆女 豊

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 柏 卓夫

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 日坂 隆行

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 柏村 育郎

  東北大学電気通信研究所

• 丸橋 健一

  日本電気株式会社

• 村上 哲

  三菱電機株式会社

• 貞廣 圭一

  三菱電機株式会社

• 野沢 尭志

  東北大学 電気通信研究所

• 関根 友嗣

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 中野 博文

  三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部

• 太田 彰

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 平間 哲也

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 野沢 尭志

  東北大学電気通信研究所

• 武田 文雄

  岡山理科大学工学部電子工学科

• 石崎 光範

  三菱電機株式会社 生産技術センター

• 田島 賢一

  三菱電機

• 笠原 道明

  三菱電機株式会社

• 河野 康孝

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 佐々木 なぎさ

  三菱電機株式会社システムLSI開発研究所

• 三浦 猛

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 弥政 和宏

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 堀家 淑恵

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 奥田 敏雄

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 中川 潤一

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 平岡 隆晴

  神奈川大学工学部電子情報フロンティア学科

• 三木 正道

  三菱電機

• 石川 高英

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 李 可人

  独立行政法人情報通信研究機構

• 李 可人

  (独)情報通信研究機構

• 中山 正敏

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 新庄 真太郎

  三菱電機株式会社

• 下沢 充弘

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 磯田 陽次

  三菱電機株式会社

• 林 亮司

  三菱電機(株) 情報技術総合研究所

• 礒田 陽次

  東北大学 電気通信研究所 21世紀情報通信研究開発センター

• 水谷 浩之

  三菱電機株式会社

• 黒木 太司

  呉工業高専

• 廣瀬 達哉

  富士通研究所

• 山尾 泰

  NTTドコモ

• 吉増 敏彦

  早稲田大学

• 西野 有(

  三菱電機

• 黒木 太司

  呉工業高等専門学校

• 山田 敦史

  シャープ

• 李 可人

  通信総合研究所

• 奥 友希

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 宮下 美代

  三菱電機株式会社

• 藤井 憲一

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 宇土元 純一

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 吉田 直人

  三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 北野 俊明

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 釆女 豊

  三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス研究所

• 星 裕之

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 紫村 輝之

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 矢嶋 孝太郎

  三菱電機(株)半導体基盤技術統括部

• 佐々木 肇

  三菱電機(株)半導体基盤技術統括部

• 檜伎 護重

  三菱電機株式会社

• 礒田 陽次

  東北大学

• 森 一富

  三菱電機

• 下沢 充弘

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 濱野 聡

  三菱電機株式会社

• 李 可人

  Nict

• 李 可人

  情報通信研究機構

• 西野 有

  三菱電機情報技術総合研究所

• 大和田 哲

  三菱電機株式会社

• 李 相錫

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 吉田 幸久

  三菱電機(株)先端技術総合研究所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 藤原 啓輔

  三菱電機株式会社

• 中野 博文

  株式会社 日立製作所 通信事業部

• 太田 彰

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 東坂 範雄

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• Shimada M.

  Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation

• 平間 哲也

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 日坂 隆行

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 中野 博文

  三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 大村 隆司

  三菱電機(株)半導体基板技術統括部

• 小熊 博

  宮城県産業技術総合センター

• 武田 文雄

  岡山理科大学工学部

• 武田 文雄

  岡山理科大学大学院工学研究科

• 重永 晃一

  三菱電機株式会社 通信機製作所

• 谷口 義司

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 李 相錫

  三菱電機株式会社

• 末廣 善幸

  三菱電機株式会社

• 佐々木 善伸

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 門協 直人

  郵政省通信総合研究所

• 小川 康雄

  郵政省通信総合研究所

• 松尾 浩一

  三菱電機株式会社

• 宮武 督

  三菱電機株式会社

• 堀家 淑恵

  三菱電機株式会社

• 高津 寿三鈴

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 宇土元 純一

  三菱電機高周波光デバイス製作所

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著作論文

• [特別講演]2003年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
• 第31回欧州マイクロ波会議出席報告
• マイクロ波回路シミュレータの基礎と応用
• AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
• 60GHz帯高出力PHEMT
• InP HEMTを用いた低局発電力駆動V帯モノリシックResistiveミクサ
• U帯高出力HEMT
• 弱い非線形領域における多数キャリヤ共通増幅器の相互変調ひずみ簡易計算法
• 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路(マイクロ波電力応用/一般)
• 未使用線路を抵抗終端したKu帯可変遅延線路
• C-2-23 共振抑圧機能を有するK帯4bit可変遅延線路
• C-2-10 偶高調波形ダイレクトコンバージョン方式 W-CDMA 端末用 SiGe 受信フロントエンドモジュール
• C-2-6 自己バイアス形アンチパラレルダイオードペアを用いた偶高調波ミクサ
• 自己バイアス形アンチパラレルダイオードペアを用いた偶高調波ミクサ
• デュアルバイアスフィードSiGe HBT線形低雑音増幅器
• ディジタル可変遅延マクロセル搭載可能GaAs 100K gateゲートアレイ
• C-2-2 集中定数化MMIC移相器の小型化設計手法(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• 低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
• Ku帯小型5ビットMMIC移相器
• 直接接触型GCPW MEMSスイッチ
• 直接接触型GCPW MEMSスイッチ(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
• C-2-7 π型移相器回路を用いた Ku 帯小型 5 ビット MMIC 移相器
• C-2-3 GCPW 型 MEMS スイッチ
• C-2-2 微細加工キャビティ構造を用いた CPW MEMS スイッチの設計
• C-2-7 直列/並列 LC 回路装荷 6-18GHz 帯5ビット移相器MMIC
• C-2-6 LC並列共振回路を用いた低位相変化アナログFET可変減衰器
• 直列/並列LC回路装荷6-18GHz帯5ビット移相器MMIC
• C-2-30 フリップチップ実装を用いた広帯域反射型移相器の検討
• C-2-23 温度特性を考慮したFETモデルを用いたAPAA用高周波モジュールシミュレーション
• C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
• 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• C-2-20 直列並列回路切替方式反射型90゜移相器の広帯域化
• C-2-19 ばらつきを考慮し特性変化を抑制したHPF/LPF切替え形移相器
• C-2-17 反射防止FET装荷型スイッチを用いたKa帯4bit可変遅延線路
• 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
• C-2-24 Ku帯6ビットMMIC可変減衰器
• C-2-22 Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
• Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
• C-2-38 等損失化超広帯域反射形GaAs-MMIC4ビット移相器
• ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
• ETC用6GHz帯GaAsMMIC送受信フロントエンド
• AlGaAs/InGaAsダブルヘテロHEMTを用いた高出力60GHz・70GHz帯モノリシック発振器
• C-2-27 0.35μm BiCMOSプロセスを用いた2GHz帯整合回路一体形MOSFET低雑音増幅器
• C-2-36 0.35μmBiCMOSプロセスを用いて作成した低損失L帯Si-MMIC5ビット可変減衰器
• AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
• ミリ波帯低雑音PHEMTの耐γ線特性
• C-2-33 ワイヤ長のばらつきを考慮した18GHz帯高出力増幅器
• GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
• ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
• C-2-2 温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路付きKu帯低雑音MMIC増幅器
• 自己バイアス形アンチパラレルダイオードペアを用いた偶高調波ミクサ
• デュアルバイアスフィードSiGe HBT線形低雑音増幅器
• CECCTPを用いた2GHz帯偶高調波形Si-MMIC受信バランスミクサ
• C-2-90 CECCTPを用いた2GHz帯偶高調波形Si-MMIC受信ダブルバランスミクサのダイレクトコンバージョン特性
• CECCTPを用いた2GHz帯偶高調波形Si-MMIC受信ダブルバランスミクサ
• C-2-36 低ひずみデュアルゲートMOSFETミクサを用いた800MHz帯Si-MMIC受信フロントエンド
• C-2-3 移動体通信用2.1GHz帯利得可変GaAs-MMIC受信フロントエンド
• C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-30 歪み相殺形電力合成増幅器の検討
• 直列/並列LC回路装荷6-18GHz帯5ビット移相器MMIC
• UHF帯低電圧動作高効率高出力FET増幅器
• セラミック基板を用いた1.9GHz用RFフロントエンドモジュール
• 広帯域高効率C帯内部整合FET
• 広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
• 広帯域高効率C帯内部整合FET(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
• C-2-39 広帯域高効率 C 帯内部整合 FET
• Outside-Base/Centor-Via-Hole形HBTデュアルバンドMMIC増幅器
• 寄生容量補償形FETバランを用いた2GHz帯GaAs-MMICバランス形アップミクサ
• C-2-27 Outside-Base/Center-Via-HoleレイアウトHBTを用いたGSM900/DCS1800デュアルバンドMMIC増幅器
• ミリ波帯モノリシック低雑音増幅器
• 6〜55GHz帯モノリシック分布増幅器
• C-2-8 44GHz 帯無線通信システム用 MMIC チップセット
• 移動体通信用低歪みアクティブカスコードFETミクサの検討
• 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
• 低電流, 低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
• 直接接触型GCPW MEMSスイッチ(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
• 直接接触型GCPW MEMSスイッチ
• 直列/並列LC回路切替方式広帯域反射型移相器MMIC
• プリマッチング回路を用いた超広帯域モノリシック抵抗整合形高出力増幅器
• 900MHz帯低電圧動作線形増幅器モジュール
• 900MHz帯低電圧動作低歪み増幅器モジュール
• 高出力増幅器における1/2倍波ループ発振の非線形シミュレーション
• 1/2倍波ループ発振による高出力FET増幅器の不安定動作の解析
• 進行波形電力分配・合成FETを用いた超広帯域モノリシック高出力増幅器
• LPF/HPF組合せ形段間回路を用いた広帯域モノリシック高出力増幅器
• 温度特性を考慮した大信号モデルを用いたKu帯15W高効率内部整合FET
• 3)一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器(無線技術研究会(第140回))
• 一電源化2〜18GHz帯モノリシック分布型増幅器
• C-2-14 変調波入力時の電力検波器の検波電圧に関する検討(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• B-5-66 OFDM における標本化クロックジッタと変調精度の関係
• B-5-50 デルタシグマ位相検出器を用いた差動 8PSK 受信機
• OFDMにおける標本化クロックジッタと変調精度の関係(マイクロ波シミュレータ/一般/学生会)
• 90MHz帯高効率、低歪0.1CC増幅器モジュール
• Dual Gate HEMTを用いたQ帯可変利得増幅器
• Dual Gate HEMTを用いたQ帯 低雑音可変利得増幅器
• ウエイト除算適応アルゴリズムを用いたフィードフォワード増幅器制御方式
• ウエイト除算適応アルゴリズムを用いたフィードフォワード増幅器制御方式
• C-2-17 ウエイト除算適応ウルゴリズムを用いたフィードフォワード増幅器制御方式
• 超広帯域モノリシック高出力増幅器の設計法
• Ka帯低雑音MMIC増幅器
• パルスRF/パルスI-V測定を用いたGaAs FET評価
• レイアウト最適化技術を用いたX帯小型4段低雑音増幅器の設計
• 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
• レイアウトからの部分的バックアノーテーション機能を有するMMIC用CAD
• GaAs MMIC用CADシステム : レイアウトを考慮した設計環境
• U帯高出力HEMT
• U帯高出力HEMT
• 線路間結合を考慮したX帯小型MMIC増幅器の設計
• InP HEMT/GaAs HEMT
• ミリ波帯オンウエハ自動評価技術
• ミリ波帯オンウエハ自動評価システムの開発
• W帯モノリシック低雑音増幅器
• C-2-40 Ku 帯高効率高出力内部整合 FET
• 電磁界シミュレーションを用いた抵損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
• SC-7-4 電磁界シミュレーションを用いた低損失オンチップ整合回路用Si基板の基板抵抗率の検討
• 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング(マイクロ波電力応用/一般)
• 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリング
• SC-2-2 高抵抗Si基板上に作成したバイポーラトランジスタの高周波モデリングと5.8GHz帯ICへの適用
• マルチフィンガ HBT の過渡応答特性評価によるコラプス現象の解析
• C-2-20 ロードライン解析によるFETの大信号Sパラメータ計算法
• 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
• 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
• 直並列共振回路切替型超広帯域反射型移相器
• C-2-45 マルチ給電分配回路を用いたKa帯3W MMIC電力増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• マルチ給電分配回路を用いたKa帯5W MMIC電力増幅器
• L帯5ビット移相器マルチチップモジュール(可変モジュール)(超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
• ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールの特性ばらつき
• ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールの特性ばらつき
• C-2-18 ガラエポ基板にSW-BANKとL,Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュールのばらつき特性
• ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
• ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
• ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
• ガラエポ基板にSW-BANKとL, Cチップ部品を実装したL帯5ビット移相器モジュール
• C-2-16 広帯域ノイズを用いた増幅器のNPR特性に関する検討
• マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
• マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
• マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
• マルチビームAPAAにおける増幅器の非線形歪特性改善(光・電波ワークショップ)
• SC-2-10 マルチビーム APAA による非線形歪改善 : アレー効果
• C-2-29 出力負荷インピーダンス切替回路による移動体通信端末用 HPA のデュアル出力電力化の検討
• AMSR用W帯モノリシック低雑音増幅器モジュール
• C-2-34 ウエイト除算適応アルゴリズムを用いたUHF帯デジタルプレディストーション増幅器(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• 高調波処理回路を用いた高効率UHF帯モノリシック多段FET増幅器の設計法
• 2倍波処理回路によるUHF帯HBT増幅器の高効率化
• C-2-9 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICダブルバランスミクサ
• 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯Si-MMICフロントエンド
• 高抵抗Si基板上に作成した5.8GHz帯整合回路一体形Si-MMIC低雑音増幅器
• 整合回路一体形Si-MMIC用高周波線路構造の検討
• C-2-8 レジスティブミクサの変換損失の温度依存性(C-2.マイクロ波A(能動デバイス))
• C-2-10 正電源形レジスティブリングミクサ
• C-2-20 アナログ PD を用いた L 帯低位相雑音フラクショナル PLL シンセサイザ
• C-2-19 2 反射スタブ化誘電体共振器装荷電圧制御発振器
• C-2-18 異周波共振器合成型同調回路を用いた K 帯低位相雑音 VCO
• ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
• ETC用6GHz帯GaAs MMIC送受信フロントエンド
• C-2-70 60GHz帯ICのフリップチップ実装時におけるアンダーフィル封止とサイドフィル封止のRF特性比較(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-12-46 90nm Si-CMOS 1GS/s電流モードパイプライン型ADC(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-2-8 トランジスタサイズ最適化手法を用いた60GHz帯Si-CMOS高効率プッシュプルPA(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• B-5-44 シングルキャリア/マルチキャリアハイブリッド通信方式の検討 : 干渉局の影響を考慮したスループット特性の評価(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
• C-2-30 90nm CMOSを用いた60GHz帯高利得低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-39 90nm Si-CMOSプロセスを用いた60GHz帯Series/Shunt形高耐電力T/Rスイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-56 周波数特性を考慮したフィードフォワード増幅器の非線形解析
• 周波数特性と信号の電力分布を考慮したフィードフォワード増幅器の非線形解析
• C-2-5 π型ドレイン抵抗回路装荷形低雑音増幅器の線形性の改善
• C-2-4 低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
• 温度補償回路内蔵X帯MMIC電力増幅器
• 温度補償回路内蔵X帯MMIC電力増幅器
• 温度補償回路内蔵X帯MMIC電力増幅器
• 多段増幅器のゲインエクスパンション特性の補償法に関する検討
• 等経路型リニアライザを用いたL帯低歪みマルチキャリア増幅器
• 単一信号による振幅・位相特性を用いた増幅器の相互変調歪とNPRの解析
• ソースインダクタ装荷MMIC簡易型リニアライザによる相互変調歪特性の改善
• 並列ダイオードを用いたマイクロ波簡易リニアライザ
• 温度検出制御回路を用いたフィードフォワード低歪み増幅器の温度補償実験
• マイクロ波回路シミュレータの基礎と応用
• シングルキャリア/マルチキャリアハイブリッド通信方式の検討 : 干渉局信号周波数偏差の影響を考慮したスループット特性評価(一般講演(信号処理・通信方式),ソフトウェア無線・コグニティブ無線の標準化,一般)
• 90nm CMOSプロセスを用いた60GHz帯高利得LNA(マイクロ波超伝導/マイクロ波一般)
• 90nm CMOSプロセスを用いた1GS/s電流モードパイプライン型ADCの試作(マイクロ波超伝導/マイクロ波一般)
• 周波数特性を考慮した増幅器の歪解析法の実験的検証
• B-17-6 MMSE規範を用いたSC-FDEの量子化誤差の影響(B-17. ソフトウェア無線,一般セッション)
• B-1-143 三次元システムインパッケージ実装技術を用いた60GHz帯平面ダイポールアレイアンテナ(B-1. アンテナ・伝播B(アンテナ一般),一般セッション)
• π型ドレイン抵抗回路による低雑音増幅器の線形性の改善
• ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性の計算法
• FETの静特性よりRF動作時の入出力振幅・位相特性を求める計算法
• C-2-67 比帯域158%,超広帯域CMOSオンチップサスペンデッド結合バラン(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-12-72 固定利得増幅器のみで構成したSi-CMOS広帯域5ビットベースバンド移相器(C-12.集積回路,一般セッション)
• B-5-12 伝達関数の落ち込みを考慮した低BERチャネル選択手法(B-5.無線通信システムA(移動通信),一般セッション)
• A-5-3 OFDMAシステムにおけるセル間及びセクタ間干渉(A-5.ワイドバンドシステム,一般セッション)
• 準天頂衛星を用いたロケーション・ショートメッセージ双方向通信システムと端末→衛星回線に関する一検討
• 準天頂衛星を用いたロケーション・ショートメッセージ双方向通信システムのパケット構成及び最大収容数に関する一検討
• 3-D SiP構造を用いた60GHz帯ダイポールアレイアンテナのビームステア実験(放送技術,一般)
• シングルキャリア/マルチキャリアハイブリッド通信方式の検討 : セル間干渉を考慮したスループット特性評価(コグニティブ無線ネットワーク,クロスレイヤ技術)
• 伝達関数の落ち込みを考慮したSC伝送のチャネル選択手法(コグニティブ無線ネットワーク,クロスレイヤ技術)
• マイクロ波FET増幅器における相互変調歪みのバイアス回路依存性モデルの検討
• 周波数特性を考慮した増幅器の歪解析法
• 周波数特性を考慮した増幅器の歪解析法
• マイクロ波FET増幅器におけるバイアス回路と相互変調歪みとの関係に関する一検討

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