高調波処理回路を用いた高効率UHF帯モノリシック多段FET増幅器の設計法
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概要
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高効率FET増幅器の設計法について述べている.まず,(1)2倍波注入ロードプル法および基本波ロードプル法によって2倍波および基本波に対する最適な負荷インピーダンスを求める手法を提案した.次に,得られた負荷インピーダンスを実現するため,(2)集中定数回路素子を用いた2倍波並列共振回路と短い位相調整線路とで構成された小形な高調波処理回路を考案した.また,(3)ドライバ段を含めた多段増幅器の効率を最大とする各増幅段のFETゲート幅の決定法を示した.この設計法に基づき製作したUHF帯モノリシック4段FET増幅器は,飽和出力31dBm,最大ドレイン効率63%の性能を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-11-25
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
池田 幸夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中島 康晴
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
中島 康晴
三菱電機株式会社
-
池田 幸夫
島田理化工業株式会社
-
橋本 勉
三菱電機株式会社電子システム研究所
-
池田 幸夫
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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