Dual Gate HEMTを用いたQ帯可変利得増幅器
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概要
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近年の通信需要の増大により周波数資源が逼迫している。このためミリ波に関する研究が室内無線LANや自動車衝突防止レーダーなどの実用化の動きを受けて盛んに行われている。ミリ波はその波長が短く、素子の大きさに対して無視できないため、高精度な加工が求められ、回路素子のモノリシック化が必要不可欠であると考えられる。また、ヘテロデバイスの高性能化も重要な要素である。一方、マイクロ波帯では将来的な技術として衛星通信における温度補償やレーダシステムでの出力補正を行うために利得の制御に関する研究開発が行われている。今回我々は、Q帯(4O〜50GHz)においてDual Gate HEMTを用いた可変利得増幅器を設計・試作し、良好な特性が得られたので報告する。
- 1995-09-05
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石原 理
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
石原 理
三菱電機株式会社
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社
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