進行波形電力分配・合成FETを用いた超広帯域モノリシック高出力増幅器
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概要
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電力分配・合成機能を有する進行波形FETを考案した。進行波形FETは複数個の単位FETのゲート間およびドレイン間を高インピーダンスの伝送線路で接続し、FETの入出力容量と高インピーダンスの伝送線路とで周波数依存性の少い伝送線路を形成するため、広帯域にわたって容易にインピーダンス変成ができる。またゲートおよびドレインの伝送線路の位相差を等しくすることにより、FETの出力端での合成効率が高くなり、高利得および高出力特性が得られる。ドライバ段に電力分配FET、パワー段に電力合成FETを用いた2段構成の増幅器を設計、試作した結果、4〜18GHz帯で飽和出力28.5±1.5dBm、ドレイン効率10.5±3.5%の広帯域特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-01-21
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
新居 眞敏
三菱電機株式会社
-
河野 康孝
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
伊藤 康之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
望月 満
三菱電機
-
望月 満
三菱電機株式会社
-
伊藤 康之
三菱電機
-
河野 康孝
三菱電機株式会社光マイクロ波デバイス研究所
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