ディジタル可変遅延回路マクロセル搭載可能 GaAs 10KゲートGate Array
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概要
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遅延時間の可変幅35ns以上、最小分解能50psのデイジタル可変遅延回路マクロセルを搭載することができるGaAs 10KゲートGate Arrayを開発した。可変遅延マクロセル1回路当たりの消費電力は300mWで、これは従来用いられていたSiバイポーラを用いたアナログ回路の約1/2である。可変遅延回路は本ゲートアレイに最大8回路搭載可能である。可変遅延回路は内部クロック発生回路とカウンタから成るグロスディレイ生成部、ゲートチェーンとセレクタから成るミディアムディレイ生成部、ゲート遅延時間のファンアウト数依存性を利用したファインディレイ生成部の3部から構成され、この構成を変えることによって様々な遅延時間の可変幅、最小分解能を実現することが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-19
著者
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 隆司
三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部
-
太田 彰
三菱電機株式会社
-
平間 哲也
三菱電機株式会社
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島田 征明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
-
島田 征明
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
島田 征明
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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