Ku帯小形・低損失6ビットGaAs-MMIC移相器
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概要
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小形・低損失化を目的としたMEF(Matched Embedded-FET)型移相回路を提案する. この移相同路は, ドレイン・ソース間にハイインピーダンス線路を接続した1つのFETと, SPSTスイッチにより切り替える整合回路から成り, 比較的少ない回路素子で構成されるとともに, 主線路に対し直列装荷されるFETが一つだけであるために小形・低損失な特徴を有する. MEF型移相回路を下位3ビット(5.625^O, 11.25^O, 22.5^O)に適用し, 上位3ビット(180^O, 90^O, 45^O)にHPF/LPF切替型を適用した6ビット移相器をKu帯において試作した結果, 良好な性能が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-16
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
谷口 英司
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
久留須 整
三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
舟田 雅彦
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
舟田 雅彦
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機株式会社
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