Dual Gate HEMTを用いたQ帯 低雑音可変利得増幅器
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概要
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Dual Gate HEMTを用いて高利得・低雑音なQ帯可変利得増幅器を開発した。Dual Gate HEMTはSingle Gate HEMTと同一プロセスで形成され、ゲート長0.15μmのAlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTである。可変利得増幅器は1段のSingle Gate HEMTを用いた低雑音増幅器MMICと2段のDual Gate HEMTを用いた可変利得増幅器MMICで構成される。試作の結果、41〜52GHzにおいて利得20dB以上、利得制御範囲30dB以上が得られた。雑音が最小になるバイアス条件では43GHzにおいて雑音指数1.8dB、利得22dB、また、41〜46GHzにおいて雑音指数2.5dB以下、利得20dB以上と良好な結果が得られた。
- 1995-07-25
著者
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
石原 理
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
柏 卓夫
三菱電機株式会社
-
石原 理
三菱電機株式会社
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
谷野 憲之
三菱電機株式会社
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