GaAsゲートアレイ用デジタル可変遅延マクロセルの開発
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概要
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通信、計測等の分野で、数十psの分解能を持つ可変遅延回路が要求されている。しかしSiバイポーラを用いたアナログ回路で構成されていたため、他のデジタル回路との集積化が困難で、セットの低消費電力化、低コスト化の妨げとなっていた。上記問題に対して、遅延時間の可変幅35ns以上、最小分解能50psのデジタル可変遅延回路マクロセルを搭載することができるGaAs10 KゲートGate Arrayを開発した。可変遅延マクロセル1回路当たりの消費電力は300mWで、Siバイポーラを用いたアナログ回路の約1/2である。可変遅延回路は、内部クロック発生回路とカウンタから成るグロスディレイ生成部、ゲートチェーンとセレクタから成るミディアムディレイ生成部、ゲート遅延時間のファンアウト数依存性を利用したファインディレイ生成部の3部から構成される。本発表では、特にミディアムディレイ生成部について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
太田 彰
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
平間 哲也
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大村 隆司
三菱電機株式会社 半導体基盤技術統括部
-
太田 彰
三菱電機株式会社
-
平間 哲也
三菱電機株式会社
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
島田 征明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社
-
島田 征明
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
島田 征明
三菱電機株式会社
-
日坂 隆行
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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