AlGaAs/InGaAs HEMTを用いた10Gb/s EA変調器ドライバIC
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概要
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10Gb/s光通信システムにおいては、高速変調時の光スペクトラムの広がりを抑制するために、EA変調器等を用いた間接変調方式が主流になってきている。ドライバICにはEA変調器の寄生容量が大きいため大きな電流駆動能力を有すること、また、十分な消光比を得るために2Vp-p以上の高い駆動電圧を有することが要求される。今回、高gmかつ高耐圧特性を備えたAlGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMTを用いて、高出力かつ低消費電力なIC特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
中川 潤一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所光素子部
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
高木 直
三菱電機
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社
-
小島 善樹
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
高木 直
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
東坂 範雄
三菱電機株式会社
-
中川 潤一
三菱電機株式会社
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