超高速GaAs MESFETプロセスの光伝送技術への応用
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概要
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低雑音性、高速性を兼ね備えた超高速GaAs MESFETの光伝送技術への応用として、高感度プリアンプIC及び10Gbit/s光送受信用ICについて述べる。高感度プリアンプICは622Mbit/sで-36dBmの受信感度を達成しており、今後光加入者系で主流となるPDS(Passive Double start)網で問題となる大きな伝送路損失に対応可能である。10Gbit/s光送受信用ICはAGCアンプ、ポストアンプ、ミキサの3チップを1パッケージに実装した受信用マルチップモジュールと、D-F/F、変調器駆動用ICの2チップを実装した送信用マルチップモジュールを開発し、10Gbit/sで-14.0dBmの良好な受信感度が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
-
中川 潤一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
中川 潤一
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
本島 邦明
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
北山 忠善
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
宮下 美代
光マイクロ波デバイス開発研究所
-
谷野 憲之
光マイクロ波デバイス開発研究所
-
谷野 憲之
三菱電機
-
宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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