10Gbit/s光受信用GaAs ICの開発
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概要
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将来の超大容量光通信システムの需要に向けて10Gbit/s光送受信技術の開発を進めている。今回、光受信器用ICとして固定利得アンプICと非線形タイミング抽出用ミキサICを,ゲート長0.5μm のGaAs NESFETを用いて開発し,良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
中川 潤一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
安藤 直人
三菱電機株式会社
-
田上 仁之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
中川 潤一
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
田上 仁之
三菱電機(株) 情報技術総合研究所
-
北山 忠善
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
本島 邦明
三菱電機澁通信システム研究所
-
宮下 美代
三菱電機(株)光マイクロ波デバイス研究所
-
安藤 直人
三菱電機(株)光マイクロ波デバイス研究所
-
宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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