C-2-36 0.35μmBiCMOSプロセスを用いて作成した低損失L帯Si-MMIC5ビット可変減衰器
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概要
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- 1999-03-08
著者
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
中島 健介
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
佐々木 なぎさ
三菱電機株式会社システムLSI開発研究所
-
佐々木 なぎさ
三菱電機株式会社
-
小野 政好
三菱電機株式会社
-
五十嵐 孝行
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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