低損失・定位相Ku帯6ビットMMIC可変減衰器(可変回路)(<特集>超高周波アナログ可変機能デバイス回路技術論文特集)
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概要
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減衰量切換時の通過位相差が小さい新しい可衰減衰器の回路構成を提案する. 本回路構成は, 減衰量の切換に用いるFETの'off'状態の容量による位相変化を低減するために, 2種類のインダクタを装荷している. 提案する回路構成について, 中心周波数における位相変化から装荷するインダクタの条件を明らかにした. 更に, 位相変化の周波数特性から通過状態の挿入損と所望帯域内の位相変化量の関係を明らかにし損失を最小にするFETのゲート幅の設計法を示した. 提案した回路についてKu帯で8dB可変減衰器を試作した結果4. 4°以下の通過位相差が得られ, 本方式の有効性を確認した. また, Ku帯で6ビットモノリシックマイクロ波集積回路(Monolithic Microwave Integrated Circuit: MMIC)可変減衰器を試作した結果, 周波数12. 5〜14 GHzにおいて, 最小挿入損:6. 8 dB以下. RMS減衰量誤差:0. 34dB, RMS通過位相差:2. 9°の良好な特性が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-01
著者
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
中島 健介
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
中島 健介
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
谷口 義司
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
末松 憲治
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
伊山 義忠
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
-
久留須 整
三菱電機株式会社
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