直接接触型GCPW MEMSスイッチ(ミリ波デバイス・回路・システム応用一般)
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概要
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高周波特性が基板の抵抗率に依存しないMEMSスイッチを提案する。本スイッチの構造は,片面微細加工技術により形成されたキャビティ底面上のグランドメタルと,空間を介して設けられたSiN膜上の信号線及びグランドメタルから構成されるメンブレインとから成るグランデッドコプレーナである。静電力により,メンブレインがキャビティ底面方向に変位し,信号線がグランドメタルに直接接触することによりオフ状態となる。試作により、2GHzにおいて通過損失0.43dB,アイソレーション21dBの良好な特性を実現し,本構造の妥当性を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-11
著者
-
西野 有
三菱電機株式会社
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
高木 直
東北大学電気通信研究所
-
高木 直
三菱電機株式会社
-
半谷 政毅
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社
-
石田 修己
韓国情報通信大学工学部
-
石田 修己
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
石田 修己
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
吉田 幸久
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社
-
宮口 賢一
三菱電機 情報技総研
-
宮口 賢一
三菱電機株式会社
-
吉田 幸久
三菱電機株式会社
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