並列化FET共振器を用いたミリ波高耐電力MMICスイッチ(移動通信ワークショップ)
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概要
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ミリ波帯において,低損失・高耐電力な特性を有するMMICスイッチを開発した.我々は,ピンチオフ状態におけるFETの並列抵抗値がゲート幅のほぼ2乗に反比例することを実験的に明らかにした.その関係を用いると,ゲート幅の小さいFET共振器を並列化することで, FETの総ゲート幅,共振周波数を変えることなくQ値の高いFET共振器を実現することができる.FET共振器を用いたスイッチの耐電力はFETの総ゲート幅で決まるので,必要な総ゲート幅を有する並列化FET共振器をスイッチに適用すると,高い耐電力を維持したまま低損失な特性を実現することができる.並列化共振器を用いたMMICスイッチを試作し,32GHzにおいて通過損失2.86dB,アイソレーション37dB,耐電力33dBmの良好な特性が得られ,本回路の有用性が確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-24
著者
-
西野 有
三菱電機株式会社
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
半谷 政毅
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社
-
西野 有
三菱電機情報技術総合研究所
-
檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
宮口 賢一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
遠藤 邦浩
三菱電機株式会社
-
宮口 賢一
三菱電機
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社
-
遠藤 邦浩
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社 モバイルターミナル製作所
-
宮口 賢一
三菱電機 情報技総研
-
宮口 賢一
三菱電機株式会社
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