直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
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概要
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近年,高耐圧GaAsやGaNなど,高耐圧FETに関する研究が進んでいる.今回,遮断状態における耐電力がFETの耐圧およびバイアス電圧のみに依存しFETのゲート幅に拠らない,直並列・並列併用形高耐電力スイッチを考案したので報告する.本構成により,大電力の入力が可能になるとともに,FETのオフ容量にともなう損失増加を抑えられ,従来のスイッチにおいて問題であった通過損失と耐電力のトレードオフ関係を緩和することができる.高耐圧な特性を有するGaN FETを用いて本スイッチをS帯で試作し,比帯域10%で通過損失0.97dB以下,耐電力100W以上の良好な特性が得られ,本方式の有用性が確認できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-29
著者
-
西野 有
三菱電機株式会社
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
半谷 政毅
三菱電機株式会社
-
西野 有
三菱電機
-
西野 有
三菱電機情報技術総合研究所
-
西野 有
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
半谷 政毅
三菱電機情報技術総合研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
宮崎 守泰
三菱電機株式会社
-
宮崎 守泰
三菱電機(株)
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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