加茂 宣卓 | 三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
半谷 政毅
三菱電機株式会社
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
半谷 政毅
三菱電機情報技術総合研究所
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
著作論文
- C-2-12 変成回路を備えたSeries-Shunt/Shunt併用形広帯域・高耐電力GaN T/R スイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
- C-2-5 直並列/並列形保護用高耐電力スイッチの解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 60W出力C帯広帯域高効率GaN-HEMT (特集 高周波・光デバイス)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)