50%比帯域を有するX帯高耐電力GaN HEMT T/Rスイッチ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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X帯において50%の比帯域を有する高耐電力T/Rスイッチを開発した.本回路はSeries/Shunt-Shunt併用形構成を元にしており,これに広帯域化変成回路を備えたものである.本構成によれば,Series/Shunt-Shunt併用形スイッチの高耐電力・低損失性を維持しつつ,受信時の広帯域化を図ることが可能になる.提案する回路の有効性を検証するために,X帯T/RスイッチをGaN HEMTを用いて試作した.その結果,X帯比帯域50%において,送信時耐電力20W以上で挿入損失1.2dB以下,受信時挿入損失1.8dB以下の良好な特性が実現できた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-06
著者
-
半谷 政毅
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社
-
半谷 政毅
三菱電機情報技術総合研究所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
垂井 幸宣
三菱電機株式会社
-
檜枝 護重
三菱電機株式会社 モバイルターミナル製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
垂井 幸宣
三菱電機株式会社鎌倉製作所
-
垂井 幸宣
三菱電機株式会社 鎌倉製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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