Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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われわれは、catalytic vapor deposition(Cat-CVD)技術を用いて表面パッシベーション膜を形成したAlGaN/GaN HEMTを開発した。Cat-CVDによる表面パッシベーション形成とNH_3による前処理とが、AlGaN/GaN HEMTの高信頼度化に非常に有効であることを見出した。容量電圧(C-V)測定により、Cat-CVD装置内でのNH_3によるパッシベーション製膜前処理がSiN/AlGaN界面トラップ低減に最も有効な手段であることを実証した。開発したCat-CVD SiN膜を用いたAlGaN/GaN HEMTは、30Vの動作電圧において、RF通電時間200時間後の出力の低下は0.4dB以内にとどまり、高信頼度特性を確認することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
中塚 茂典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機株式会社
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
巳浪 裕之
三菱電機株式会社
-
竹内 日出雄
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
島田 好治
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
巳浪 裕之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
南條 拓真
三菱電機
-
北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
島田 好治
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
竹内 日出雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
南條 拓真
三菱電機株式会社
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