コプレーナ線路型オンウェハプローブとマイクロストリップ変換部の位相変化解析
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概要
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GaAsFET、MMICのオンウェハSパラメータ評価ではコプレーナ型RFプローブが多用されており、信号線路は、通常、コプレーナ線路から貫通孔を介したパターンによりマイクロストリップ線路に変換される(図1)。このような変換部では、貫通孔のインダククンスやパッドの浮遊容量等による通過位相の物理長からのずれが懸念され、特に準ミリ波帯〜ミリ波帯においては影響が無視できなくなる。今回、コプレーナ-マイクロストリップ変換部通過位相のずれについて実測し、定量解析を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
石原 理
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
三井 茂
三菱電気
-
中島 康晴
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
加藤 隆幸
三菱電機株式会社
-
三井 茂
三菱電機中研
-
中島 康晴
光マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 康郎
光マイクロ波デバイス開発研究所
-
石原 理
光マイクロ波デバイス開発研究所
-
三井 茂
光マイクロ波デバイス開発研究所
-
後藤 清毅
三菱電機株式会社
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