C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機(株)
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Chalmers工科大
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
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大石 敏之
三菱電機(株)
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Thorsell Mattias
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Angelov Iltcho
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
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Andersson Kristoffer
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Noto Hifumi
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Thorsell Mattias
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
-
大塚 浩志
三菱電機
-
能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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