Ku, K帯WSi/Au T型埋込ゲート高出力HEMT
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概要
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通信システム分野における送信用デバイスとして、WSi/Au T型埋め込みゲート構造を有するKu、K帯のPower HEMTを開発した。ゲートリセスリセス形成プロセスに選択エッチング技術を用いることで、ウエハ面内の素子のドレイン電流のばらつきは3σIdss/Idss=3.1%と、高均一化を達成し、さらにゲートオフ時の高ドレイン耐圧 (BVgd=19V) を得ることができた。18GHzにおけるWg=2.1mmの素子性能は、出力電力1.4W、電力利得9.2dB、電力付加効率55.6%と良好な特性を示した。まだ、21mmの内部整合HEMTにおいては、12GHzにて出力電力10.5W、線形利得9.8dB、電力付加効率54%と良好な結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-01-21
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
辻 聖一
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
-
宇土元 純一
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
宇土元 純一
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
石川 高英
三菱電機株式会社
-
国井 徹郎
三菱電機株式会社
-
國井 徹郎
三菱電機株式会社
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
辻 聖一
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
小丸 真喜雄
三菱電機株式会社
-
宮國 晋一
三菱電機株式会社
-
宇土元 純一
三菱電機株式会社
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