C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-03-02
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
Angelov I.
Chalmers工科大
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
Inoue Akira
Information Technology R&d Center
-
Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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大塚 浩志
三菱電機
-
大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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