大石 敏之 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機先端総研
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吹田 宗義
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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吹田 宗義
三菱電機
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三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
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三浦 成久
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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宮本 恭幸
東京工業大学
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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山口 裕太郎
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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尾関 龍夫
三菱電機
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尾関 龍夫
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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江川 孝志
名古屋工業大学
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)
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林 一夫
三菱電機株式会社
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塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機
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佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
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古川 泰助
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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古川 泰助
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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Angelov I.
Chalmers工科大
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杉原 浩平
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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中畑 匠
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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丸野 茂光
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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丸野 茂光
三菱電機株式会社先端総研
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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南條 拓真
三菱電機株式会社
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鮫島 文典
三菱電機株式会社
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社
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神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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國井 徹郎
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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志賀 俊彦
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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北野 俊明
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吹田 宗義
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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阿部 雄次
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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志賀 俊彦
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社
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國井 徹郎
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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国井 徹郎
三菱電機株式会社
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國井 徹郎
三菱電機株式会社
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中塚 茂典
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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戸塚 正裕
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機株式会社
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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山本 佳嗣
三菱電機 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮國 晋一
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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宮国 晋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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宮國 晋一
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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松田 吉雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松田 吉雄
三菱電機株式会社 システムlsi事業化推進センター
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佐山 弘和
ULSI技術開発センター
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巳浪 裕之
三菱電機株式会社
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徳田 安紀
三菱電機株式会社先端技術総合研究所:光産業技術振興協会
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竹内 日出雄
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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島田 好治
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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神保 孝志
名古屋工業大学
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谷口 英司
三菱電機株式会社
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巳浪 裕之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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徳田 安紀
三菱電機
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北野 俊明
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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島田 好治
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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竹内 日出雄
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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柳生 栄治
三菱電機
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小坂 尚希
三菱電機株式会社
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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田中 俊行
三菱電機株式会社
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都留 正臣
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所
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津留 正臣
三菱電機株式会社
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青柳 克信
理化学研究所
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青柳 克信
理化学研究所・東京工業大学
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今井 章文
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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佐山 弘和
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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吉新 喜市
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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武内 道一
理化学研究所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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山本 佳嗣
三菱電機高周波光素子事業統括部
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林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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村上 隆昭
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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須賀原 和之
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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村上 隆昭
三菱電機(株)
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須賀原 和之
三菱電機(株)
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安村 賢二
三菱電機(株)
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吉新 喜市
三菱電機先端技術総合研究所
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吉新 喜市
三菱電機
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大塚 浩治
三菱電機株式会社
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武内 道一
理化学研究所・東京工業大学
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今井 章文
三菱電機
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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吉新 喜市
三菱電機 先端技総研
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松井 輝仁
三菱電機株式会社生産技術センター
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杉本 博司
三菱電機株式会社中央研究所
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大塚 健一
三菱電機株式会社中央研究所
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松井 輝仁
三菱電機株式会社中央研究所
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佐山 弘和
三菱電機(株)
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
大石 敏之
三菱電機株式会社中央研究所
-
佐々木 肇
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
林 一夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
鮫島 文典
三菱電機株式会社 通信機製作所
-
林 一夫
三菱電機
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津山 祥紀
三菱電機株式会社 通信機製作所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
著作論文
- C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- シミュレーションを用いた超微細トレンチ分離開発
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- Siイオン注入ドーピング技術を適用したAlGaN/AlN/GaN HEMT
- AlGaNチャネルHEMTにおけるドレイン耐圧の向上
- AlGaNチャネルによるトランジスタの高耐圧化 (特集 高周波・光デバイス)
- 注入ドーピングによるGaNトランジスタの高性能化 (特集 利用される宇宙)
- LOCOS分離の限界とトレンチ分離の問題点
- GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル (特集 高周波・光デバイス)
- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C2H6/H2混合ガスを使用したIII-V族化合物半導体の反応性イオンエッチング
- C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 GaN HEMTを用いた5.8GHz帯シングル-シャント型整流器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- CT-1-5 TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)
- C-2-23 5.8GHz帯シングルーシャント形GaN HEMT整流器の試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-37 短ゲート化によるSSPS用GaN HEMT増幅器の高効率化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- C-10-6 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案
- CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析