佐々木 肇 | 三菱電機株式会社

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概要

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• 三菱電機株式会社の論文著者

関連著者

• 林 一夫

  三菱電機株式会社

• 佐々木 肇

  三菱電機株式会社

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 林 一夫

  三菱電機株式会社高周波光素子統括部

• 日坂 隆行

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 佐々木 肇

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 林 一夫

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 林 一夫

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 吉田 直人

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 日坂 隆行

  三菱電機株式会社

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社

• 蓮池 篤

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 山口 裕太郎

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

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著作論文

• AlGaAs/InGaAs PHEMTの劣化メカニズム(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
• AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
• AlGaAs/InGaAs PHEMTの大信号動作時の劣化機構 : 高電界による半導体表面劣化(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
• C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)

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