山中 宏治 | 三菱電機株式会社

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概要

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• 三菱電機株式会社の論文著者

関連著者

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機 情報技総研

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 平野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩志

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• Yamanaka Koji

  Information Technology R&d Center

• 平野 嘉仁

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社

• 中山 正敏

  三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社

• 井上 晃

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 井上 晃

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山内 和久

  三菱電機株式会社

• 山内 和久

  三菱電機

• 大石 敏之

  三菱電機株式会社

• 森 一富

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 森 一富

  三菱電機株式会社

• 能登 一二三

  三菱電機株式会社

• 大石 敏之

  三菱電機(株)

• 山中 宏治

  三菱電機

• Noto Hifumi

  Information Technology R&d Center

• 山中 宏治

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 桑田 英悟

  三菱電機株式会社

• 半野 嘉仁

  三菱電機株式会社

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社

• 内田 浩光

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 桑田 英悟

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 小坂 尚希

  三菱電機株式会社

• 小山 英寿

  三菱電機株式会社

• Inoue Akira

  Information Technology R&d Center

• 大橋 英征

  三菱電機株式会社

• 伊藤 康之

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 宮本 恭幸

  東京工業大学

• 能登 一二三

  三菱電機(株)

• 伊藤 康之

  三菱電機株式会社

• 津山 祥紀

  三菱電機株式会社

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 伊東 康之

  三菱電機株式会社

• 伊東 康之

  宇宙開発事業団筑波宇宙センタ

• 中原 和彦

  三菱電機株式会社

• 金谷 康

  三菱電機株式会社

• 池田 幸夫

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 弥政 和宏

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 湯川 秀憲

  三菱電機株式会社

• 弥政 和宏

  三菱電機株式会社

• 池田 幸夫

  島田理化工業株式会社

• 湯川 秀範

  三菱電機株式会社

• 池田 幸夫

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 宇土元 純一

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 田原 志浩

  三菱電機株式会社

• 宇土元 純一

  三菱電機高周波光デバイス製作所

• 清家 弘光

  三菱電機株式会社

• 原田 憲一

  三菱電機株式会社通信機製作所

• 茶木 伸

  三菱電機株式会社

• 田原 志浩

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 田原 志浩

  三菱電機

• 茶木 伸

  三菱電機

• 原田 憲一

  京都府立医科大学消化器外科

• 小山 英寿

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

• 宇土元 純一

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 桐越 祐

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守泰

  三菱電機(株)

• 宮崎 守泰

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 加茂 宣卓

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 山口 裕太郎

  東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻

• 桐越 祐

  三菱電機(株)通信機製作所

• 檜枝 護重

  三菱電機株式会社

• 石田 修己

  韓国情報通信大学工学部

• 石田 修己

  三菱電機株式会社

• 石田 修己

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 山中 宏治

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 桐越 祐

  三菱電機 通信機製作所

• 伊東 康之

  宇宙開発事業団

• 平野 嘉仁

  三菱電機 先端技総研

• 前原 宏昭

  三菱電機株式会社

• 檜枝 護重

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 池松 寛

  三菱電機株式会社

• 池松 寛

  三菱電機株式会社通信機製作所

• 棚橋 直樹

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• Angelov I.

  Chalmers工科大

• 西原 淳

  三菱電機株式会社

• 棚橋 直樹

  三菱電機株式会社

• Angelov Iltcho

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• 井上 晃

  Information Technology R&d Center

• Angelov Iltcho

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• 星 裕之

  三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所

• 伊山 義忠

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 堀家 淑恵

  三菱電機株式会社

• 星 裕之

  三菱電機株式会社

• 星 裕之

  三菱電機株式会社北伊丹事業所

• 高津 寿三鈴

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 堀家 淑恵

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 大石 敏行

  三菱電機株式会社

• 菅谷 和則

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 山口 哲郎

  三菱電機株式会社通信機製作所

• 伊山 義忠

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高津 寿三鈴

  三菱電機株式会社

• 半谷 政毅

  三菱電機株式会社

• 礒田 陽次

  三菱電機株式会社

• 磯田 陽次

  三菱電機株式会社

• 水谷 浩之

  三菱電機株式会社

• 半谷 政毅

  三菱電機情報技術総合研究所

• 大和田 哲

  三菱電機株式会社

• 湯之上 則弘

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 垂井 幸宣

  三菱電機株式会社

• 大和田 哲

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 平岩 剛

  三菱電機株式会社

• 内海 博三

  三菱電機株式会社

• 木村 実人

  三菱電機株式会社

• 中原 和彦

  三菱電機

• 垂井 幸宣

  三菱電機株式会社鎌倉製作所

• 垂井 幸宣

  三菱電機株式会社 鎌倉製作所

• 湯之上 則弘

  三菱電機(株)通信機製作所

• 門脇 直人

  独立行政法人情報通信研究機構

• 米田 諭

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 高木 直

  東北大学電気通信研究所

• 井上 晃

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 門脇 直人

  郵政省通信総合研究所

• 福本 宏

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 陳 春平

  神奈川大学

• 天清 宗山

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 塚原 良洋

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 幸丸 竜太

  三菱電機株式会社

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 佐藤 亨

  京都大学大学院情報学研究科通信情報システム専攻

• 北村 洋一

  三菱電機株式会社

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部

• 佐藤 亨

  京大工

• 荒木 恒彦

  郵政省通信総合研究所

• 野上 洋一

  三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所

• 清水 隆志

  宇都宮大学

• 宮口 賢一

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 楢橋 祥一

  Ntt移動通信網株式会社

• 重永 晃一

  三菱電機株式会社 通信機製作所

• 新居 眞敏

  三菱電機株式会社

• 南條 拓真

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社先端技術総合研究所

• 宮口 賢一

  三菱電機

• 木村 真人

  三菱電機株式会社

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 国井 徹郎

  三菱電機株式会社

• 國井 徹郎

  三菱電機株式会社

• 安部 素実

  三菱電機株式会社

• 柳生 栄治

  三菱電機株式会社

• 湯川 秀憲

  三菱電機(株)情報技術総合研究所

• 岡崎 浩司

  株式会社NTTドコモ

• 林 一夫

  三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所

• 米田 諭

  三菱電機株式会社

• 清水 隆志

  埼玉大学:(現)東北工業大学

• 陳 春平

  神奈川大学工学部

• 小倉 健太郎

  三菱電機株式会社

• 宮崎 守秦

  三菱電機株式会社

• 森本 卓男

  三菱電機株式会社

• ポカレル ラメシュ

  九州大学

• 両川 勇武

  三菱電機株式会社

• Thorsell Mattias

  Chalmers University of Technology

• Andersson Kristoffer

  Chalmers University of Technology

• Angelov Iltcho

  Chalmers University of Technology

• 能登 一ニ三

  三菱電機株式会社

• 佐藤 亨

  京大生存研:bppt

• 天清 宗山

  三菱電機株式会社

• Andersson Kristoffer

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 佐藤 亨

  Bppt

• Thorsell Mattias

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 安部 素実

  三菱電機株式会社 情報技術総合研究所

• 安部 素実

  三菱電機株式会社情報技術総合研究所

• 米田 聡

  三菱電機株式会社

• 津山 祥範

  三菱電機株式会社

• 岡崎 浩司

  株式会社エヌ・ティ・ティ・ドコモ

• 塚原 良洋

  三菱電機株式会社

• 南出 啓信

  三菱電機株式会社

• 佐々木 善伸

  三菱電機株式会社

• 塚原 良洋

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部

• 佐々木 善伸

  三菱電機(株)高周波光素子事業統括部

• 南條 拓真

  三菱電機

• 重永 晃一

  三菱電機株式会社

• 大塚 浩治

  三菱電機株式会社

• 濱松 美博

  三菱電機株式会社

• 大平 昌敬

  埼玉大学大学院理工学研究科

• 後藤 清毅

  三菱電機株式会社

• 楢橋 祥一

  株式会社nttドコモ 先進技術研究所

• 佐藤 亨

  京都大学大学院工学研究科電子通信工学専攻

• 宮口 賢一

  三菱電機株式会社

• 塚原 良洋

  三菱電機 高周波光デバイス製作所

• 清水 隆志

  東北工業大学nrdスーパーブロードバンド研究センター

• 柳生 栄治

  三菱電機

• Angelov Iltcho

  Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe

• 大平 昌敬

  埼玉大学

• Andersson Kristoffer

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• Thorsell Mattias

  Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U

• 塚原 良洋

  三菱電機(株)高周波光デバイス製作所

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著作論文

• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
• C-2-46 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型高調波抑圧フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• CS-3-3 アクティブフェーズドアレー用Ku帯小型表面実装モジュール(CS-3. 超高速・高周波デバイス・回路・モジュールのための高密度Jisso技術, エレクトロニクス1)
• C-2-23 温度特性を考慮したFETモデルを用いたAPAA用高周波モジュールシミュレーション
• C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
• ソースインダクタ装荷多段雑音整合増幅器のソースインダクタ値の決定法及びKa帯低雑音MMIC増幅器への応用
• C-2-39 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
• C-2-44 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ka帯低雑音低反射MMIC増幅器
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ)(「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
• C-2-17 Ku 帯 MMIC 電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討
• C-2-16 ドレインバイアス共通化 Ku 帯 MMIC 電力増幅器
• 高調波抑圧形集中定数90度ハイブリッド(マイクロ波,ミリ波)
• C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討
• C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
• CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
• C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変低雑音増幅器
• C-2-29 ソースインダクタ装荷形多段低雑音増幅器のソースインダクタ値決定法の検討
• C-2-28 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変MMIC増幅器の雑音特性
• 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
• FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
• C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
• ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
• C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-25 中間段高インピーダンス型整合回路による増幅器の広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-28 L帯広帯域E級GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-47 直列共振を用いた高調波抑圧形集中定数90°ハイブリッド(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
• C-2-43 VHF帯高調波抑圧形集中定数ウィルキンソン電力分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
• VHF帯高調波抑圧形集中定数電力分配器(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
• VHF帯高調波抑圧形集中定数電力分配器(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
• C-2-13 VHF帯E級高効率増幅器の高調波抑圧(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
• C-2-65 VHF帯高調波抑圧形集中定数90°ハイブリッド(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
• 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
• C-2-17 40GHz帯カスコードFETにおける出力反射特性の向上(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
• GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器
• C-2-22 GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-18 自己バイアスMMIC増幅器用プロセスばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
• C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-13 GaN広帯域増幅器に対する一考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-4 低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
• C-2-36 APAA 用 MMIC 増幅器の利得ばらつきについての検討
• C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
• C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
• 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
• C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
• C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-72 方向性結合器と負荷レプリカ回路からなる損失性インピーダンス回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• C-2-17 広帯域高出力多段増幅器におけるゲート幅比の考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-11 X帯高耐電力GaNスイッチの低損失化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-26 C帯220W高効率GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討(シミュレーション技術,一般)
• C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
• 2012年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム出席報告
• 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• C-2-32 小型広帯域基本波/高調波同時整合回路を用いたX帯小型高利得高出力GaN MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-31 抵抗つき2倍波処理回路をつけたL帯高効率GaN増幅・器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• C-2-90 インターデジタル型結合線路の左手系動作に基づく帯域通過フィルタ組合せ型逆相電力合成分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
• CT-1-5 TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)
• C-2-35 シャントインダクタを用いた準集中定数整合回路によるX帯GaN高出力増幅器の小型化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
• 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
• ACDI-1-1 学生コンテスト〜マイクロ波回路の設計・試作(ACDI-1.学ぶ意欲を刺激するゲーミフィケーション〜設計コンテストの教育活用を考える〜,ソサイエティ企画)
• C-2-34 X帯広帯域高出力GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
• C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• ACDI-1-1 学生コンテスト〜マイクロ波回路の設計・試作(ACDI-1.学ぶ意欲を刺激するゲーミフィケーション〜設計コンテストの教育活用を考える〜,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-2-36 出力電力の周波数特性が平坦な広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
• C-2-37 短ゲート化によるSSPS用GaN HEMT増幅器の高効率化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
• C-10-6 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案
• CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)
• C-2-20 Tanh関数ゲート電圧制御によるドハティアンプの低歪み化の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
• AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析

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