C-2-43 VHF帯高調波抑圧形集中定数ウィルキンソン電力分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
大橋 英征
三菱電機株式会社
-
田原 志浩
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
原田 憲一
三菱電機株式会社通信機製作所
-
田原 志浩
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
田原 志浩
三菱電機
-
原田 憲一
京都府立医科大学消化器外科
関連論文
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例
- C-2-46 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型高調波抑圧フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 第35回マイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- CS-3-3 アクティブフェーズドアレー用Ku帯小型表面実装モジュール(CS-3. 超高速・高周波デバイス・回路・モジュールのための高密度Jisso技術, エレクトロニクス1)
- C-2-23 温度特性を考慮したFETモデルを用いたAPAA用高周波モジュールシミュレーション
- C-2-22 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- C-2-102 高速移動体通信システム用ミリ波モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- ソースインダクタ装荷多段雑音整合増幅器のソースインダクタ値の決定法及びKa帯低雑音MMIC増幅器への応用
- C-2-39 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ku帯APAA用低雑音MMIC増幅器
- C-2-44 ソースインダクタ装荷多段雑音整合型Ka帯低雑音低反射MMIC増幅器
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ)(「次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて」)
- C-2-17 Ku 帯 MMIC 電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討
- C-2-16 ドレインバイアス共通化 Ku 帯 MMIC 電力増幅器
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
- 高調波抑圧形集中定数90度ハイブリッド(マイクロ波,ミリ波)
- C-2-30 ドレーンドライブ型送受切り替え方式の受信時損失低減の検討
- C-2-13 C帯CaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 対向インラインスタブを用いた高調波処理による内部整合FETの高効率化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 2周波ウィルキンソン分配器を用いた反射波吸収型帯域阻止フィルタ : 回路合成理論に基づくウィルキンソン分配器設計ツールの開発事例(MSTセッション)
- CI-1-8 ミリ波高速移動体通信用チップセット(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 10%の比帯域を有するC帯内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-2 温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路付きKu帯低雑音MMIC増幅器
- 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変低雑音増幅器
- C-2-29 ソースインダクタ装荷形多段低雑音増幅器のソースインダクタ値決定法の検討
- C-2-28 可変容量素子及び負帰還回路を用いたKu帯周波数可変MMIC増幅器の雑音特性
- 帰還型アクティブ整合回路を用いた周波数可変低雑音MMIC増幅器
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
- FET大信号モデルを用いたKu帯MMIC電力増幅器の温度補償ゲートバイアス回路の検討(移動通信ワークショップ : 次世代ブロードバンド無線通信の実現に向けて)
- C-2-24 C帯220W出力GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-23 C帯60W出力GaN HEMT広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-29 セル分割を特徴としたGaN HEMT 1チップ高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
- ロードプルデータを用いた多段増幅器の非線形特性計算プログラム
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- C-2-27 X帯60W高効率GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 超広帯域高効率MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 抵抗装荷型安定化回路によるC帯GaN HEMT高出力増幅器の利得平坦化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-37 FET近傍に2倍波反射オープンスタブを有するC帯GaN HEMT高出力増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 第35回マイクロ波会議出席報告(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-2-25 中間段高インピーダンス型整合回路による増幅器の広帯域化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-28 L帯広帯域E級GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 2002年IEEE MTT-S 国際マイクロ波 シンポジウム出席報告
- C-2-47 直列共振を用いた高調波抑圧形集中定数90°ハイブリッド(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),エレクトロニクス1,一般講演,2006年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会)
- C-2-43 VHF帯高調波抑圧形集中定数ウィルキンソン電力分配器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般講演)
- VHF帯高調波抑圧形集中定数電力分配器(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- VHF帯高調波抑圧形集中定数電力分配器(マイクロ波回路関連, マイクロ波EMC/一般)
- C-2-13 VHF帯E級高効率増幅器の高調波抑圧(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-2-65 VHF帯高調波抑圧形集中定数90°ハイブリッド(C-2. マイクロ波B(受動デバイス), エレクトロニクス1)
- 補間ロードプル・ソースプルデータを用いた多段電力増幅器モジュールの大信号特性計算プログラム
- C-2-17 40GHz帯カスコードFETにおける出力反射特性の向上(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-22 GaN HEMTを用いたS帯高耐電力低雑音増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-18 自己バイアスMMIC増幅器用プロセスばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-13 GaN広帯域増幅器に対する一考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-4 低雑音MMIC増幅器用温特・ばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (エレクトロニクスシミュレーション)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (光エレクトロニクス)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (マイクロ波)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
- C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
- 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器 (マイクロ波)
- 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 (エレクトロニクスシミュレーション)
- C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)