360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
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概要
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GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指したE級動作増幅器に注目が集まっている.E級増幅器は比較的容易に高効率動作を実現しやすいメリットがある反面,原理的に動作周波数あるいは出力電力に限界がある.本報告ではE級動作とF級動作の中間の動作級を実現することによりE級動作の限界を超えた動作周波数・出力電力を実現した.L帯パーシャル整合GaN FETの試作を行い,出力電力360W,電力付加効率65%の高出力・高効率を得た.
- 2011-05-19
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
茶木 伸
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
-
茶木 伸
三菱電機
-
湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機(株)
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