中山 正敏 | 三菱電機(株)
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概要
関連著者
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中山 正敏
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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山中 宏治
三菱電機(株)
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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能登 一二三
三菱電機(株)
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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山中 宏治
三菱電機
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山内 和久
三菱電機(株)
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山内 和久
三菱電機
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
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茶木 伸
三菱電機
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湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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山本 和也
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機(株)
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笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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笠井 信之
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機株式会社
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高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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前村 公正
三菱電機
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吉井 泰
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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小方 規子
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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前村 公正
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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森 一富
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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池松 寛
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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池松 寛
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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池松 寛
三菱電機株式会社通信機製作所
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佐々木 善伸
三菱電機株式会社
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佐々木 善伸
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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前原 宏昭
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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前原 宏昭
三菱電機(株)
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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堀口 健一
三菱電機株式会社
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野谷 佳弘
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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西原 淳
三菱電機株式会社
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谷野 憲之
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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関 博昭
三菱電機
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森脇 孝雄
三菱電機
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森脇 孝雄
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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湯浦 久博
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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湯浦 久博
三菱電機(株) 高周波・光素子統括部
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野谷 佳弘
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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谷野 憲之
三菱電機
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関 博昭
三菱電機(株)
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濱松 美博
三菱電機株式会社
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堀口 健一
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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濱松 美博
三菱電機(株)
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野谷 佳弘
三菱電機
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森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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藤崎 孝一
三菱電機(株)
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小浜 正彦
三菱電機(株)
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井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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安永 吉徳
三菱電機(株)
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小柳 元良
三菱電機(株)
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小坂 尚輝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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西原 淳
三菱電機(株)通信機製作所
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川嶋 慶一
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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堀ロ 健一
三菱電機株式会社
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安永 吉徳
三菱電機(株)通信機製作所
著作論文
- 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
- PHS用送受一体化GaAs MMICにおけるディジタル回路技術
- アナログ携帯電話用電力増幅器MMICの技術展望
- C-2-15 負の群遅延時間を有する回路による増幅器の群遅延時間短縮に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- C-2-18 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザの動作原理に関する検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 1.9GHz帯移動体通信用送受信一体化GaAs IC ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- C-2-4 アンチパラレル型直列ダイオードリニアライザを用いたUHF帯電力増幅器の歪補償実験(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- 利得ばらつきを抑えたAPAA用自己バイアス低雑音MMIC増幅器
- 利得ばらつきを抑えたAPAA用自己バイアス低雑音MMIC増幅器
- C-2-11 仮想接地型ダイオードリニアライザによるKu帯電力増幅器の歪み補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
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- C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-2-31 並列ダイオードリニアライザの位相特性に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
- C-2-27 Ku帯100W GaN内部整合FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C帯220W高効率GaN増幅器(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)