高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
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概要
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GaN HEMTはGaAsの10倍以上の出力電力密度が得られることから100W超出力のマイクロ波帯高出力増幅器として盛んに研究・開発が進められている.特に近年では基地局用増幅器への応用を目指した高効率GaN増幅器に注目が集まっている.本報告ではL帯とS帯における高調波ロードプル測定結果から,100W超出力GaN高出力増幅器の構成方法について議論する.実際にS帯300W級増幅器の試作を行った結果,出力電力330W,電力付加効率62%の高出力・高効率を得た.
- 2012-02-23
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機
-
茶木 伸
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
-
半野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
-
茶木 伸
三菱電機
-
湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
中山 正敏
三菱電機
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機(株)
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