中山 正敏 | 三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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概要
関連著者
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機
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中山 正敏
三菱電機
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機(株)
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井上 晃
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機(株)
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山内 和久
三菱電機
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大石 敏之
三菱電機(株)
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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吉井 泰
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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茶木 伸
三菱電機
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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湯之上 則弘
三菱電機(株)通信機製作所
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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鈴木 敏
三菱電機
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
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小坂 尚希
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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半谷 政毅
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機高周波光デバイス製作所
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金谷 康
三菱電機株式会社
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吉井 泰
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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茶木 伸
三菱電機(株)電子システム研究所
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宮下 美代
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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宮下 美代
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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野上 洋一
三菱電機株式会社
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宮本 恭幸
東京工業大学
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吉田 直人
三菱電機高周波光デバイス製作所
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吉田 直人
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉田 直人
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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小方 規子
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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山口 裕太郎
三菱電機株式会社
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檜枝 護重
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機高周波光デバイス製作所
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小川 喜之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機高周波光デバイス製作所
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宮下 美代
三菱電機株式会社
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久留須 整
三菱電機株式会社光マイクロ波統括事業部
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半谷 政毅
三菱電機情報技術総合研究所
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小川 喜之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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森本 卓男
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機(株)
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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西原 淳
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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末松 憲治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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高木 直
三菱電機株式会社
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松塚 隆之
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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幸丸 竜太
三菱電機株式会社
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吉田 直人
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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鈴木 敏
三菱電機株式会社高周波光素子事業統括部
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三井 康郎
三菱電機株式会社光・マイクロ波デバイス開発研究所
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檜枝 護重
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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堀口 健一
三菱電機株式会社
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紫村 輝之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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前村 公正
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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三井 康郎
三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部
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末松 憲治
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機(株)
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前村 公正
三菱電機
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小方 規子
三菱電機株式会社
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湯浦 久博
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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岡村 篤司
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機株式会社
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前原 宏昭
三菱電機株式会社
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鈴木 敏
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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天清 宗山
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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松永 直子
三菱電機株式会社
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山口 真美子
三菱電機株式会社
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宮下 美代
三菱電機高周波光デバイス製作所
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後藤 清毅
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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奥 友希
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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高木 直
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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森 一富
三菱電機株式会社
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林 亮司
三菱電機株式会社
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湯之上 則弘
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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鈴木 敏
三菱電機高周波光デバイス製作所
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石川 高英
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所開発部
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石川 高英
三菱電機
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石川 高英
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機(株)
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石川 高英
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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天清 宗山
三菱電機株式会社
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杉山 茂
三菱電機株式会社
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檜枝 護重
三菱電機株式会社 モバイルターミナル製作所
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内海 博三
三菱電機株式会社
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岡村 篤司
三菱電機高周波光デバイス製作所
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松塚 隆之
三菱電機高周波光デバイス製作所
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吉井 泰
三菱電機高周波光デバイス製作所
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林 一夫
三菱電機(株)
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笠井 信之
三菱電機(株)光・マイクロ波デバイス開発研究所
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吉井 泰
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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山口 真美子
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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笠井 信之
三菱電機株式会社
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森本 卓男
東海大学工学部通信工学科
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宮本 恭幸
東工大
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後藤 清毅
三菱電機株式会社
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渡辺 伸介
三菱電機株式会社
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湯之上 則弘
三菱電機株式会社
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川嶋 慶一
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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林 一夫
三菱電機株式会社
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津留 正臣
三菱電機株式会社
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亀田 卓
東北大学電気通信研究所
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高木 直
東北大学電気通信研究所
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坪内 和夫
東北大学電気通信研究所
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高木 直
三菱電機
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橘川 雄亮
三菱電機株式会社
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浅田 智之
三菱電機株式会社高周波光素子統括部
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紫村 輝之
三菱電機株式会社 光・マイクロ波デバイス開発研究所
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野上 洋一
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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濱田 倫一
三菱電機株式会社
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橘川 雄亮
三菱電機情報技術総合研究所
-
橘川 雄亮
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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亀田 卓
東北大学 電気通信研究所
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坪内 和夫
東北大学 電気通信研究所
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石崎 光範
三菱電機株式会社 生産技術センター
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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茂野 大作
島田理化工業株式会社
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小川 二良
島田理化工業株式会社
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弥政 和宏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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岡村 篤司
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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安藤 暢彦
三菱電機株式会社
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末松 憲治
東北大学電気通信研究所
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Angelov I.
Chalmers工科大
-
弥政 和宏
三菱電機株式会社
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
谷口 英司
三菱電機株式会社
-
森脇 孝雄
三菱電機
-
森脇 孝雄
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
-
南條 拓真
三菱電機
-
前村 公正
三菱電機(株) 光・マイクロ波デバイス開発研究所
-
湯浦 久博
三菱電機(株) 高周波・光素子統括部
-
Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
-
嘉藤 勝也
三菱電機株式会社
-
谷口 英司
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
森脇 孝雄
三菱電機株式会社高周波・光デバイス製作所
-
浅田 智之
三菱電機株式会社
-
藤崎 孝一
三菱電機(株)
-
小浜 正彦
三菱電機(株)
-
井上 晃
Information Technology R&d Center
-
Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
-
安永 吉徳
三菱電機(株)
-
南條 拓真
三菱電機株式会社
-
桑田 英悟
三菱電機
-
稲垣 隆二
三菱電機株式会社
-
末松 憲治
東北大学
-
田中 俊行
三菱電機株式会社
-
都留 正臣
三菱電機株式会社
-
前原 宏昭
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
小坂 尚輝
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
西原 淳
三菱電機(株)通信機製作所
-
川嶋 慶一
三菱電機株式会社
-
前原 宏昭
三菱電機(株)
著作論文
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- C-2-55 ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-6 高調波負荷整合回路付きW帯2倍波取り出し型発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高調波負荷を最適化したW帯2倍波高出力発振器
- C-2-33 次世代移動体通信基地局用3-way 200W LDMOSドハティ増幅器(C-2. マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-1 受動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 能動移相器を内蔵したカプラ付きGaAs HBT RF検波回路の検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-17 GaAs基板上に作製したカプラ付きHBT RF検波回路の基本検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-16 増幅段バイパス型利得切替HBT増幅器に関する検討(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-10-8 ***電流切替回路による低電圧動作HBT電力増幅器の歪み改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 低電圧・広帯域動作CDMA用HBT電力増幅器(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- 薄膜抵抗からなるポスト壁導波路無反射終端器(マイクロ波,EMC,一般)
- CS-4-9 スイッチ切替による複数の周波数帯で動作可能な帯域可変フィルタ(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CS-4-1 反射波注入法を用いた周波数可変増幅器の広帯域化(CS-4.無線回路の広帯域・マルチバンド化技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-19 5.8GHz高調波整合型内部整合GaN高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 低消費電流動作PHS用送受信一体化GaAs MMIC
- セラミック基板を用いた1.9GHz用RFフロントエンドモジュール
- 低電流・低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- 低電流, 低歪みカスコードFETミクサを用いたPHS用送受信一体化RFフロントエンドMMIC
- GaAs方向性結合器付き検波回路の検討(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 1.9GHz帯高周波フロントエンド送受信一体化MMIC
- 移動体通信におけるRF系の低電力化
- PHS用送受一体化GaAs MMICにおけるディジタル回路技術
- PHS用RFフロントエンド一体化MMIC
- 小形・広帯域Bridged-T形移相器
- ウィルキンソン分配器を用いて不要結合を抑圧した高方向性カップラ(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- GaNマイクロ波帯増幅器技術 (特集 新しい光・電波技術)
- マイクロ波誘電体フィルタ, 小林禧夫, 鈴木康夫, 古神義則(共著), 電子情報通信学会(2007-03), A5判, 定価(本体4,700円+税)
- C-2-69 方形薄膜抵抗を用いたポスト壁導波路無反射終端器(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-9 入出力ともに2倍波処理したX帯高効率内部整合GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-13 GaN広帯域増幅器に対する一考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-11 仮想接地型ダイオードリニアライザによるKu帯電力増幅器の歪み補償(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 W-CDMAマルチ出力モード対応経路切り替え高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-16 エンベロープ誤差電力導入によるエンベロープトラッキング増幅器の設計法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-6 アイソレーション極大点探索法によるマルチポートアンプの振幅・位相誤差補償実験(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 小形・広帯域 Bridged-T 形移相器
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
- C-2-24 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 360W出力と65%電力付加効率を有するL帯パーシャル整合GaN FET(マイクロ波,EMC,一般)
- C-2-16 点対称バランを用いたプッシュプル増幅器の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-10 外部検波型X帯リミッタの高ダイナミックレンジ化(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
- 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討 (エレクトロニクスシミュレーション)
- C-2-45 コムライン形UHF帯可変帯域通過フィルタ(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- C-2-31 並列ダイオードリニアライザの位相特性に関する検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 330W出力62%電力付加効率S帯内部高調波整合型GaN FET(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
- S帯170W/70%パーシャル整合 GaN HEMT 高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化
- 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
- 高調波整合による100W超出力GaN高出力増幅器の効率向上についての検討(一般)
- C-2-28 S帯170W/70%パーシャル整合GaN on Si高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C帯220W高効率GaN増幅器(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- C-2-26 C帯220W高効率GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 方向性結合器と反射回路からなる損失性インピーダンス整合回路の基礎検討(シミュレーション技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 : 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- フリップチップ実装した60GHz帯受信フロントエンドCMOS ICの試作
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)