山口 裕太郎 | 三菱電機株式会社
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概要
関連著者
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山口 裕太郎
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
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山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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大石 敏之
三菱電機(株)
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大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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宮本 恭幸
東京工業大学
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
-
中山 正敏
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機
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林 一夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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鮫島 文典
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
林 一夫
三菱電機(株)
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宮本 恭幸
東工大
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大石 敏之
三菱電機
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機
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山口 裕太郎
三菱電機
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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南條 拓真
三菱電機株式会社
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佐々木 肇
三菱電機株式会社
-
中山 正敏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
鮫島 文典
三菱電機株式会社 通信機製作所
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津山 祥紀
三菱電機株式会社 通信機製作所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
著作論文
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-37 短ゲート化によるSSPS用GaN HEMT増幅器の高効率化検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析