大塚 浩志 | 三菱電機
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概要
関連著者
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大塚 浩志
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山中 宏治
三菱電機
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大石 敏之
三菱電機(株)
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中山 正敏
三菱電機
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大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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宮本 恭幸
東京工業大学
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Angelov I.
Chalmers工科大
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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山口 裕太郎
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機株式会社
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山内 和久
三菱電機
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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西原 淳
三菱電機株式会社
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内海 博三
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機(株)
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宮本 恭幸
東工大
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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前原 宏昭
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機
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加茂 宣卓
三菱電機
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山口 裕太郎
三菱電機
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林 一夫
三菱電機
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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松永 直子
三菱電機株式会社
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山本 和也
三菱電機株式会社
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浅田 智之
三菱電機株式会社高周波光素子統括部
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森 一富
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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堀口 健一
三菱電機株式会社
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弥政 和宏
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山本 和也
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機(株)
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Thorsell Mattias
Chalmers University of Technology
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Andersson Kristoffer
Chalmers University of Technology
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Angelov Iltcho
Chalmers University of Technology
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Andersson Kristoffer
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
-
Thorsell Mattias
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
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弥政 和宏
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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南條 拓真
三菱電機
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大塚 浩治
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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嘉藤 勝也
三菱電機株式会社
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柳生 栄治
三菱電機
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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浅田 智之
三菱電機株式会社
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Angelov Iltcho
Chalmers Univ. Of Technol. Goeteborg Swe
-
Andersson Kristoffer
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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Thorsell Mattias
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
-
南條 拓真
三菱電機株式会社
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桑田 英悟
三菱電機
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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堀ロ 健一
三菱電機株式会社
著作論文
- C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-38 動的負荷線測定に基づいたGaN HEMT大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-3 固有伝送モードを用いた発振解析法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル (特集 高周波・光デバイス)
- C-2-3 W-CDMAマルチ出力モード対応経路切り替え高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-65 結合線路と伝送線路の並列接続からなる能動回路向け高調波処理回路(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス,一般セッション)
- 小型PKGを用いた120WX帯GaN増幅器(マイクロ波一般,学生研究会/マイクロ波一般)
- C-2-30 小型PKGを用いた120W X帯GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
- 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)