桑田 英悟 | 三菱電機(株)情報技術総合研究所
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概要
関連著者
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桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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桑田 英悟
三菱電機株式会社
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
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桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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山中 宏治
三菱電機(株)
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三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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桐越 祐
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機(株)
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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山中 宏治
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三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機(株)
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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三菱電機(株)情報技術総合研究所
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社
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宮崎 守泰
三菱電機(株)
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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木村 実人
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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中山 正敏
三菱電機
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大塚 浩志
三菱電機
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宮崎 守泰
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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森 一富
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中原 和彦
三菱電機株式会社
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森 一富
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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能登 一二三
三菱電機(株)
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山内 和久
三菱電機(株)
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山内 和久
三菱電機
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木村 実人
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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内田 浩光
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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山内 和久
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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三菱電機株式会社
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茶木 伸
三菱電機株式会社
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加茂 宣卓
三菱電機(株)高周波光素子事業統括部
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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茶木 伸
三菱電機
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三菱電機株式会社
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Noto Hifumi
Information Technology R&d Center
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前原 宏昭
三菱電機株式会社
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桑田 英悟
三菱電機
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山内 和久
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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能登 一二三
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所
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山崎 貴嗣
三菱電機株式会社
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社
著作論文
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器
- C-2-2 固有伝送モードを用いた大信号発振解析法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器 (マイクロ波)
- C-2-37 C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- C-2-27 出力容量を考慮した設計による広帯域高効率増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討(マイクロ波信号発生と計測技術/一般)
- C-2-21 X帯55W内部整合GaN-FET : BPF設計思想に基づく広帯域インピーダンス整合回路(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-20 11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-30 直列線路装荷ショートスタブ形出力整合回路を用いたX帯広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 出力容量を考慮した設計による増幅器の広帯域化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN広帯域高出力MMIC増幅器 (特集 高周波・光デバイス)
- C-2-13 GaN広帯域増幅器に対する一考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- GaN増幅器の高効率・広帯域回路技術
- 高調波処理によるGaN HEMTの高効率動作の検討
- C-2-17 広帯域高出力多段増幅器におけるゲート幅比の考察(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-32 小型広帯域基本波/高調波同時整合回路を用いたX帯小型高利得高出力GaN MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-31 抵抗つき2倍波処理回路をつけたL帯高効率GaN増幅・器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-36 出力電力の周波数特性が平坦な広帯域MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス))