11W出力バランス型C-X帯広帯域GaN HEMT増幅器
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概要
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GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたHIC(Hybrid Integrated Circuit)構成のC-X帯83%比帯域(2.3倍帯域)高出力バランス型増幅器について報告する.バランス型増幅器内部のシングルエンド増幅器について,入出力の負荷インピーダンスを示すスミスチャートの内側のうち,1>|Γ|>0.71の領域が不安定領域であってもバランス型増幅器は無条件安定であることに注目し,高利得化を検討した.GaN HEMTを用いてバランス型増幅器を試作した.その結果,C-X帯83%比帯域(2.3倍帯域)の広帯域に渡って8.9dB以上の小信号利得,出力電力11W以上の高出力,20%以上のPAEが得られた.
- 2010-05-06
著者
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
桐越 祐
三菱電機株式会社
-
桑田 英悟
三菱電機株式会社
-
桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
Inoue Akira
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
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