C-Ku帯GaN HEMT 3倍帯域高効率高出力増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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概要
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GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたHIC(Hybrid Integrated Circuit)構成のC-Ku帯120%比帯域(3.1倍帯域)高効率高出力増幅器について報告する.広帯域高効率増幅器の設計を単純化するため,トランジスタが高効率動作する負荷インピーダンスの共役インピーダンスが抵抗とコンデンサで構成される並列回路に近似できることを示した.近似した並列回路をBPF(Band Pass Filter)の一部とする回路構成(BPF形整合回路)により,広帯域な整合回路を実現した.上記の回路構成でGaN HEMTを用いたHIC構成の高効率高出力増幅器を試作し,C-Ku帯120%比帯域(3.1倍帯域)の広帯域に渡ってPAE(Powere Added Effciency)18%以上、出力電力4W以上の高効率かつ高出力が得られた.この結果は,GaN HEMTを用いたC帯以上の比帯域100%を越えるHIC構成の増幅器の中で最大のPAEである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-07-23
著者
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
桑田 英悟
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
山中 宏治
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
桐越 祐
三菱電機(株)通信機製作所
-
井上 晃
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
桐越 祐
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
桑田 英悟
三菱電機株式会社
-
半野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
桐越 祐
三菱電機 通信機製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
山中 宏治
三菱電機(株)
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)
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