C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-09-01
著者
-
井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機株式会社
-
山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
-
井上 晃
三菱電機株式会社
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
山中 宏治
三菱電機 情報技総研
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
柳生 栄治
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
-
柳生 栄治
三菱電機
-
加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
-
Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
-
大塚 浩志
三菱電機
-
大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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