大石 敏之 | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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概要
関連著者
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大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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大石 敏之
三菱電機(株)
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大石 敏之
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機 情報技総研
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中山 正敏
三菱電機株式会社
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中山 正敏
三菱電機株式会社:高周波光デバイス製作所
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大塚 浩志
三菱電機
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機(株)情報技術総合研究所
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大塚 浩志
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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中山 正敏
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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Yamanaka Koji
Information Technology R&d Center
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宮本 恭幸
東京工業大学
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
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山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
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山口 裕太郎
三菱電機株式会社
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山中 宏治
三菱電機
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中山 正敏
三菱電機
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社
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半野 嘉仁
三菱電機株式会社
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井上 晃
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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井上 晃
三菱電機株式会社
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Angelov I.
Chalmers工科大
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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Angelov Iltcho
Ghz Centre Dep. Of Microtechnology And Nanoscience (mc2) Microwave Electronics Laboratory Chalmers U
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林 一夫
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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林 一夫
三菱電機
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大石 敏行
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機(株)
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谷口 英司
三菱電機株式会社
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宮本 恭幸
東工大
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小坂 尚希
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機株式会社
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小山 英寿
三菱電機(株)高周波光デバイス製作所
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Inoue Akira
Information Technology R&d Center
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田中 俊行
三菱電機株式会社
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都留 正臣
三菱電機株式会社
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大石 敏之
三菱電機
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加茂 宣卓
三菱電機
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山口 裕太郎
三菱電機
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津留 正臣
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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柳生 栄治
三菱電機株式会社
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内田 浩光
三菱電機株式会社
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林 一夫
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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津山 祥紀
三菱電機株式会社
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南條 拓真
三菱電機
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大塚 浩治
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機 先端技総研
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柳生 栄治
三菱電機
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加茂 宣卓
三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所
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南條 拓真
三菱電機株式会社
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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佐々木 肇
三菱電機株式会社
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山口 裕太郎
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社 高周波・光デバイス製作所
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鮫島 文典
三菱電機株式会社
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津山 祥紀
三菱電機株式会社 通信機製作所
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吉岡 貴章
三菱電機株式会社
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大塚 浩志
三菱電機株式会社 情報技術総合研究所
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平野 嘉仁
三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所
著作論文
- C-2-33 GaN HEMTの半物理的な非線形モデルの提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-4 GaN HEMTにおけるGaNバッファ層中トラップの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-23 半物理的な非線形モデルの高周波特性計算(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-22 半物理的な非線形モデルによるデバイス構造検討手法の提案(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- GaN HEMTの半物理的非線形回路モデル (特集 高周波・光デバイス)
- C-10-7 緑色光照射時の等価回路パラメータ測定によるGaN HEMTのトラップ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-12 C帯高効率GaN HEMT発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-3 GaN HEMTのソース・ドレイン間容量のデバイスシミュレーションによる解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-29 トラップを考慮したGaN on Si大信号モデル(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-2-10 GaN HEMTを用いた5.8GHz帯シングル-シャント型整流器の設計(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- CT-1-5 TCADシミュレーションを用いたGaN HEMTの半物理的非線形回路モデル(CT-1.化合物半導体電子デバイスのためのデバイスシミュレーション技術,ソサイエティ企画)
- C-2-23 5.8GHz帯シングルーシャント形GaN HEMT整流器の試作(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- C-10-6 波形整形理論に基づくGaN HEMT設計手法の提案
- CS-3-2 高周波増幅器の設計におけるシミュレータ利用の実際(CS-3.マイクロ波回路設計におけるシミュレーション技術の応用と将来動向,シンポジウムセッション)