C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-08-28
著者
-
宮本 恭幸
東京工業大学
-
山中 宏治
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社
-
大塚 浩志
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機(株)
-
中山 正敏
三菱電機株式会社
-
山口 裕太郎
東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻
-
山口 裕太郎
三菱電機株式会社
-
林 一夫
三菱電機株式会社
-
佐々木 肇
三菱電機株式会社
-
大石 敏之
三菱電機株式会社情報技術総合研究所
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