Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET (電子デバイス)
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-01-13
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
金澤 徹
東京工業大学
-
若林 和也
東京工業大学
-
齋藤 尚史
東京工業大学
-
寺尾 良輔
東京工業大学
-
田島 智宣
東京工業大学
-
池田 俊介
東京工業大学
-
宮本 恭幸
東京工業大学
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