半導体ヘテロ接合に隣接した埋め込み微細金属による共鳴トンネル電流の制御
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概要
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半導体中の埋め込み微細金属グレーティングをゲートとした共鳴トンネルデパイスを作製し、20Kにおいてデパイス動作を確認した。微細金属グレーティングは幅120nmの複数のWワイヤと横方向サイズ1.4x1.4μm^2の開ロチャネルからなり、チェネルの実効面積を変化することによりトンネル電流の制御を行った。また、微分コンダクタンスに横方向量子閉込め効剃こよる微細な構造が観測され、本デパイスは共鳴トンネルトランジスタとしてだけではなく、ナノオーダの低次元伝導をシミュレートするデバイスとしても有望である。
- 1999-04-22
著者
-
古屋 一仁
東京工業大学院理工学研究科
-
須原 理彦
首都大学東京大学院理工学研究科
-
古屋 一仁
東京工業大学
-
須原 理彦
東京工業大学工学部電気電子工学科
-
Seifert W
Lund Univ. Lund Swe
-
Gustafson Boel
Department Of Solid State Physics University Of Lund
-
Gustafson Boel
ルンド大学固体物理学科
-
Wernersson L‐e
Solid State Physics/nanometer Structure Consortium Lund University
-
Samuelson L
Lund Univ. Lund Swe
-
Samuelson Lars
ルンド大学固体物理学科
-
Seifert W
Univ. Lund
-
Seifert Werner
ルンド大学固体物理学科
-
Wernersson Lars-Erik
ルンド大学固体物理学科
-
Wernersson Laes-Eeik
ルンド大学固体物理学科
-
古屋 一仁
ルンド大学固体物理学科
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